在半导体蚀刻工艺中应用旋片式真空泵的目的是去除曝光和显影的光致抗蚀剂微图案中的下层材料的暴露部分，即，再现与下层材料上的光致抗蚀剂相同的图案。蚀刻是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺和微纳制造工艺中非常重要的步骤。这是与光刻相关的图形处理的主要过程。事实上，所谓的蚀刻是狭义理解的是光刻蚀刻。首先通过光刻对光致抗蚀剂进行光刻曝光处理，然后通过其他方法进行蚀刻以去除要去除的部分。随着微制造工艺的发展，从广义上讲，蚀刻已经成为通过溶液，反应离子或其他机械手段剥离和去除材料的通用术语，并且已经成为微加工的通用术语。
以下描述Si3N4蚀刻的过程：
Si3N4刻蚀半导体刻蚀工艺：
在903E蚀刻机中蚀刻，引入蚀刻机的气体是：CF4，NF3，He。氟自由基的作用是使氮化硅被腐蚀，产物是气体，它被旋片式真空泵抽走。为了加速腐蚀速率，可以在CF4中加入少量氧气（5％-8％），因为氧气可以抑制反应室壁中F *的损失，并且：CF4 + O2→F * + O * + COF * + COF2 + CO + ...（电离）。 COF *具有长寿命，当它移动到晶片表面时，发生以下反应以加速腐蚀速率：COF *→F * CO（电离），但加入氧气以腐蚀光致抗蚀剂以减少选择性。
蚀刻是微细加工技术的重要组成部分，微电子技术的快速发展推动了微加工技术的发展。通常，蚀刻技术可分为干蚀刻和湿蚀刻。初始蚀刻主要是湿法蚀刻，但是当器件制造成微米和亚微米时代时，进行湿法蚀刻。蚀刻难以满足日益高的精度要求。干蚀刻技术取得了很大进展。干蚀刻通常通过物理和化学方面的组合去除蚀刻的膜，因此蚀刻具有各向异性，这可以从根本上改善湿法中固有的横向底切问题。从而满足细线蚀刻的要求。有许多常见的蚀刻方法，旋片式真空技术就是其中之一。用于半导体蚀刻工艺的旋片式真空泵具有速度快，选择率高，各向异性高，蚀刻损伤小，大面积均匀性好，蚀刻部分轮廓可控性好，蚀刻表面光滑平滑等优点。近年来，德国旋片式真空泵已广泛应用于硅，二氧化硅，III-V化合物等材料的蚀刻，并取得了良好的蚀刻效果，可满足制作超大规模集成电路的要求。 ，MEMS，光电器件。各种微结构设备的要求。